Flaş bellek gibi çalışan molekül

Bilgisayar tüketicisinin teknik özellik beklentisi hiçbir zaman bitmiyor. PC oyunları her yeni versiyonlarında daha çok sistem gücü gerektiriyor, her yıl yenilenen yazılımlar işlemcilerin varını yoğunu sömürüyor ve üreticiler de bu ihtiyacı karşılamak adına canla başla çabalıyorlar.

İşlemcilerin aynı hacimde daha fazla hesaplama birimi içermesi adına, transistör boyutlarını ufaltan üretim süreçleri icat ediliyor. Örnek vermek gerekirse, bu süreçlerin en popüler versiyonu olarak bilinen High K Metal Gate teknolojisi, 28 nanometre çapında transistör üretirken, bu miktarı 20 nanometre seviyesine inme hazırlığında. Hatta ve hatta, Intel gibi sektörün öncüsü sayılan üreticilerin de 14 nanometrelik devreler üretme çabasında olduğunu duymaktayız.

İşlemci gücü artarken, işlenen verinin miktarı da kaçınılmaz bir biçimde üstel olarak artıyor. Fakat, bellek teknolojilerinin geçtiğimiz 10 yıldan bu yana çok fazla ilerleme kaydedemediğini görmekteyiz. Akıllı telefonlarımızın ve tabletlerimizin yüksek hızlı flaş ünitelerine sahip olmasını sağlayan NAND teknolojisinin ardından, hafıza üretiminde fiziksel bir bariyere yaklaştığımız söyleniyor.

Basit bir elektron alışverişinden ibaret olan veri depolama işlemi, hafıza devrelerinin her hücresinin güçlü birer elektrik alan oluşturmasını gerektiriyor. Bu zorunluluk da, elektronları hapseden devrelerin büyüklüklerinin işlemcilerde olduğu mertebede ufaltılmasına imkan tanımıyor. Dolayısıyla, bugün 128 GB kapasiteli ufacık belleklere sahip olsak da, bu miktarın Terabaytlar seviyesine erişmesi pek de mümkün görünmüyor.

Christoph Busche ve Laia Vilà-Nadal’ın başını çektiği uluslararası bir araştırma, hafıza devrelerinin çağ atlamasını sağlayabilir. Tek molekül kalınlığında hafıza devreleri üretmek adına yıllarını veren araştırmacılar, aradıkları formülü Tungsten, selenyum ve oksijen elementleri ile yakaladılar. Tungsten Oksit bileşiğinin özel bir halini kafes olarak kullanan araştırmacılar, bu yapının içerisine iki adet selenyum trioksit molekülü yerleştirmeyi başardılar. Oluşan bu örgünün de, metal oksitli kafes ile elektron alış verişi yapabildiği ve 600 santigrat dereceye kadar işlev görebildiği söyleniyor.

Araştırmacıların bir sonraki adımdaki hedefi, metal oksit kafesin yazma ve okuma hızlarını geliştirerek NAND belleklerle yarışacak seviyeye eriştirmek olacak.

Kaynak: Techno-Labs